三极管， 也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

三极管 (也称晶体管)在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是 如图所示的几种器件。

可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。

"Triode"(电子三极管)这个是英汉词典里面 "三极管" 的唯一英文翻译，与电子三极管初次出现有关，是真正意义上的三极管这个词初期所指的物品。其余的在中文里称作三极管的器件，实际翻译时不可以翻译成Triode。

电子三极管 Triode (俗称电子管的一种)

双极型晶体管 BJT (Bipolar Junction Transistor)

J型场效应管 Junction gate FET(Field Effect Transistor)

金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称

V型槽场效应管 VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor )

注:这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极(Unipolar)结构的，是和 双极(Bipolar)是对应的，所以也可以统称为单极晶体管(Unipolar Junction Transistor)。

其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管。

VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数(跨道)新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。